| 型号： | IPP05N03LB G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
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| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPP05N03LB G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 27/May/2011 |
| 产品目录绘图 | MOSFET TO-220(AB), TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.3 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 40µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3209pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | IPP05N03LB G-ND IPP05N03LBGIN IPP05N03LBGX IPP05N03LBGXK SP000065247 |